رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSO613SPVGXUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSO613SPVGXUMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 8-SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-6
المخزون:
22440 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818014
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSO613SPVGXUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.44A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
875 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-DSO-8-6
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
BSO613
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP005353854
448-BSO613SPVGXUMA1DKR
448-BSO613SPVGXUMA1CT
448-BSO613SPVGXUMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR5410TRR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
