رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP135H6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP135H6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
53521 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799074
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
P8tk
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP135H6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 94µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.9 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
146 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP135
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP135H6327XTSA1CT
BSP135H6327XTSA1DKR
BSP135H6327XTSA1TR
SP001058812
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
AUIRFZ44ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
