رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS131L6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS131L6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 240 V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
12800659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS131L6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
240 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 56µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
77 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP000247293
BSS131 L6327-DG
Q4284473
BSS131 L6327
BSS131L6327HTSA1TR
BSS131L6327XT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSS131H6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BSS131H6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2N7002
المُصنِّع
UMW
الكمية المتاحة
274
DiGi رقم الجزء
2N7002-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
