رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS159NL6906HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS159NL6906HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
12799306
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS159NL6906HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
230mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 26µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
44 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS159N L6906CT
BSS159N L6906DKR
BSS159NL6906
BSS159N L6906TR-DG
BSS159NL6906HTSA1TR
BSS159N L6906DKR-DG
BSS159NL6906HTSA1DKR
BSS159N L6906-DG
BSS159N L6906
BSS159N L6906CT-DG
BSS159NL6906HTSA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSS159NH6906XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
19956
DiGi رقم الجزء
BSS159NH6906XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS87L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
BSZ0703LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
