الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BTS121AE3045ANTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BTS121AE3045ANTMA1-DG
وصف:
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO220-3-5
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12800089
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BTS121AE3045ANTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
TEMPFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
95W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-5
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BTS121AE3045ANTMA1
ورقة بيانات HTML
BTS121AE3045ANTMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BTS121A E3045ACT-DG
BTS121AE3045A
BTS121AE3045ANTMA1CT
BTS121A E3045ATR
BTS121AE3045ANTMA1TR
BTS121A E3045ATR-DG
BTS121A E3045ACT
BTS121A E3045A
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PHB27NQ10T,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7068
DiGi رقم الجزء
PHB27NQ10T,118-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
BUZ73LHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3