رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
المخزون:
1976 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799541
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IAUT165N08S5N029ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
165A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 108µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6370 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IAUT165
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
IAUT165N08S5N029ATMA2TR
IAUT165N08S5N029ATMA2DKR
INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029CT
2156-IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029CT-DG
IAUT165N08S5N029TR
IAUT165N08S5N029DKR
IAUT165N08S5N029ATMA2CT
IAUT165N08S5N029TR-DG
SP001585162
IAUT165N08S5N029DKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
