رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMW120R045M1XKSA1-DG
وصف:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
58 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800230
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMW120R045M1XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
52A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.7V @ 10mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
+20V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
228W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IMW120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MSC025SMA120B
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
MSC025SMA120B-DG
سعر الوحدة
28.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
