رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA057N06N3GXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA057N06N3GXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
المخزون:
12802583
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA057N06N3GXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 58µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6600 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-31
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA057
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPA057N06N3 G-DG
IPA057N06N3G
IFEINFIPA057N06N3GXKSA1
2156-IPA057N06N3GXKSA1
IPA057N06N3 G
SP000457582
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOTF2606L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOTF2606L-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFR2905ZTR
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF2804LPBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
IPI80P03P4L04AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
