رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA60R280P7SXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA60R280P7SXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
841 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801051
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA60R280P7SXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 190µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
761 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA60R280
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001658160
ROCINFIPA60R280P7SXKSA1
2156-IPA60R280P7SXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
