رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA70R750P7SXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA70R750P7SXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 21.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
76 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801777
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA70R750P7SXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 70µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
306 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
21.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA70R750
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPA70R750P7S
SP001664858
IFEINFIPA70R750P7SXKSA1
2156-IPA70R750P7SXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF10LN80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
799
DiGi رقم الجزء
STF10LN80K5-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTP4N70X2M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
24
DiGi رقم الجزء
IXTP4N70X2M-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPI11N60C3AAKSA2
MOSFET N-CH I2PAK
