رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA80R650CEXKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
المخزون:
459 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804965
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA80R650CEXKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 470µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA80R650
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
