رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB049NE7N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB049NE7N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
1900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800793
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB049NE7N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 91µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4750 pF @ 37.5 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB049
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
INFINFIPB049NE7N3GATMA1
IPB049NE7N3GATMA1DKR
IPB049NE7N3 G
IPB049NE7N3GATMA1CT
IPB049NE7N3 GTR-DG
IPB049NE7N3 GDKR-DG
IPB049NE7N3 GCT-DG
IPB049NE7N3 GDKR
IPB049NE7N3G
IPB049NE7N3 GCT
IPB049NE7N3GATMA1TR
IPB049NE7N3 G-DG
SP000641752
2156-IPB049NE7N3GATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS3207TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3925
DiGi رقم الجزء
IRFS3207TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB160N75F3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
STB160N75F3-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFS3607TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
24577
DiGi رقم الجزء
IRFS3607TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB75NF75T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
967
DiGi رقم الجزء
STB75NF75T4-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN005-75B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4338
DiGi رقم الجزء
PSMN005-75B,118-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
