رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB06P001LATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB06P001LATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12801174
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB06P001LATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 5.55mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
281 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB06P
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP001647768
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB110P06LMATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1649
DiGi رقم الجزء
IPB110P06LMATMA1-DG
سعر الوحدة
2.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPB65R190CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3