رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB120P04P404ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB120P04P404ATMA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
14384 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948675
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB120P04P404ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 340µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
205 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14790 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-IPB120P04P404ATMA2CT
SP002325758
448-IPB120P04P404ATMA2TR
448-IPB120P04P404ATMA2DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
IPP80P03P4L04AKSA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3