رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB180N04S4L01ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB180N04S4L01ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
المخزون:
12802912
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB180N04S4L01ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+20V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7-3
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
IPB180
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000979928
2156-IPB180N04S4L01ATMA1TR
IPB180N04S4L01ATMA1-DG
448-IPB180N04S4L01ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQM40014EM_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SQM40014EM_GE3-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3
IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRF6215S
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
