رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB77N06S212ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB77N06S212ATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
12803335
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB77N06S212ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
77A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.7mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 93µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1770 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
158W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB77N06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB77N06S212ATMA2-DG
448-IPB77N06S212ATMA2TR
SP001061294
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80N06S2L11ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
923
DiGi رقم الجزء
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFS3206
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPD90P04P405AUMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPD49CN10N G
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
