رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80P04P4L06ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80P04P4L06ATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
12800725
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80P04P4L06ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6580 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-IPB80P04P4L06ATMA1
SP000842046
INFINFIPB80P04P4L06ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80P04P4L06ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3343
DiGi رقم الجزء
IPB80P04P4L06ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
