رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD30N10S3L34ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
35870 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803954
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD30N10S3L34ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 29µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1976 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD30N10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD30N10S3L-34TR
IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
IPD30N10S3L-34CT-DG
IPD30N10S3L34
SP000261248
IPD30N10S3L-34DKR-DG
IPD30N10S3L34ATMA1CT
IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34TR-DG
IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34-DG
IPD30N10S3L34ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
