رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD50P04P413ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD50P04P413ATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
المخزون:
12801172
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD50P04P413ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 85µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-313
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
INFINFIPD50P04P413ATMA1
IPD50P04P413ATMA1TR
SP000840204
2156-IPD50P04P413ATMA1
IPD50P04P413ATMA1DKR
IPD50P04P413ATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD50P04P413ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7545
DiGi رقم الجزء
IPD50P04P413ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD110N12N3GBUMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
IPB06P001LATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
IPP05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3