رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD60R600PFD7SAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD60R600PFD7SAUMA1-DG
وصف:
CONSUMER PG-TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
4709 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965564
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD60R600PFD7SAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ PFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 80µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
344 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD60R
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD60R600PFD7SAUMA1CT
448-IPD60R600PFD7SAUMA1TR
SP005353996
448-IPD60R600PFD7SAUMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN3R5-80YSFX
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
