رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD65R1K0CEAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12801220
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD65R1K0CEAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
328 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD65R1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD65R1K0CEAUMA1TR
SP001421368
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK6P65W,RQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
58
DiGi رقم الجزء
TK6P65W,RQ-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD70R900P7SAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12655
DiGi رقم الجزء
IPD70R900P7SAUMA1-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
IPD50R800CEAUMA1
CONSUMER