رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD65R400CEAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD65R400CEAUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
81872 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801331
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD65R400CEAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 320µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
118W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD65R400
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD65R400CEAUMA1CT
IPD65R400CEAUMA1-DG
IPD65R400CEAUMA1TR
IPD65R400CEAUMA1DKR
SP001466800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP65R150CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
