رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD80P03P4L07ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD80P03P4L07ATMA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
15227 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948673
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD80P03P4L07ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD80P03
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD80P03P4L07ATMA2CT
448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR
SP002325740
448-IPD80P03P4L07ATMA2TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31