رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD80R1K4P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD80R1K4P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
المخزون:
18272 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD80R1K4P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-2
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD80R1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
INFINFIPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1DKR
IPD80R1K4P7ATMA1TR
IPD80R1K4P7ATMA1CT
SP001422564
2156-IPD80R1K4P7ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
