رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPG20N04S4L11AATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPG20N04S4L11AATMA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 20A 41W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
المخزون:
12808389
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPG20N04S4L11AATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 15µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1990pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
41W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-10
رقم المنتج الأساسي
IPG20N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
IPG20N04S4L11AATMA1TR
IPG20N04S4L11AATMA1DKR
INFINFIPG20N04S4L11AATMA1
SP001023836
2156-IPG20N04S4L11AATMA1
IPG20N04S4L11AATMA1-DG
IPG20N04S4L11AATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
IRFI4212H-117P
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO