رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI45N06S4-09AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI45N06S4-09AKSA2-DG
وصف:
IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12946526
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI45N06S4-09AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 34µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3785 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
331
اسماء اخرى
2156-IPI45N06S4-09AKSA2
INFINFIPI45N06S4-09AKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDMS7580
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF55N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5