رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI60R099CPAAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI60R099CPAAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12804849
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI60R099CPAAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1.2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
255W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI60R099
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
INFINFIPI60R099CPAAKSA1
IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-DG
SP000315454
2156-IPI60R099CPAAKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOWF095A60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOWF095A60-DG
سعر الوحدة
2.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R105CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3