رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFHM830TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFHM830TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
المخزون:
8408 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804851
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFHM830TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2155 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
IRFHM830
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRFHM830TRPBF-DG
IRFHM830TRPBFTR
SP001566782
IRFHM830TRPBFDKR
IRFHM830TRPBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRFR3711TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
IPP65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
