رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI80P03P405AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI80P03P405AKSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12802978
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI80P03P405AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 253µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
137W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI80P
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000396316
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SPP80P06PHXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5150
DiGi رقم الجزء
SPP80P06PHXKSA1-DG
سعر الوحدة
1.67
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
