رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPN70R450P7SATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPN70R450P7SATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
المخزون:
802 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804122
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPN70R450P7SATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 120µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
424 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
IPN70R450
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IPN70R450P7SATMA1TR
SP001664926
IPN70R450P7SATMA1-DG
INFINFIPN70R450P7SATMA1
2156-IPN70R450P7SATMA1
IPN70R450P7SATMA1CT
IPN70R450P7SATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS4610TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
