رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP039N10N5AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP039N10N5AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12803689
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP039N10N5AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 125µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7000 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP039
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001602186
IFEINFIPP039N10N5AKSA1
2156-IPP039N10N5AKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP150N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
STP150N10F7-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SUP70040E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
460
DiGi رقم الجزء
SUP70040E-GE3-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ24NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
IRF3711
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
IRFR3504ZTR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
