رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP100N06S2L05AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
498 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801218
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP100N06S2L05AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5660 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
INFINFIPP100N06S2L05AKSA2
SP001067950
2156-IPP100N06S2L05AKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP170N075T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
IXTP170N075T2-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD18532KCS
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
1360
DiGi رقم الجزء
CSD18532KCS-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
