الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP100N08N3GXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP100N08N3GXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
587 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP100N08N3GXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 46µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2410 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx097,100N08N3 G
مخططات البيانات
IPP100N08N3GXKSA1
ورقة بيانات HTML
IPP100N08N3GXKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP100N08N3 G
IPP100N08N3GXKSA1-DG
448-IPP100N08N3GXKSA1
IPP100N08N3 G-DG
IPP100N08N3G
SP000680856
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN012-80PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4860
DiGi رقم الجزء
PSMN012-80PS,127-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFP130N10T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP130N10T-DG
سعر الوحدة
2.67
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFB3607PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3741
DiGi رقم الجزء
IRFB3607PBF-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTP130N10T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP130N10T-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT288L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT288L-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRFB7437GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
IPI65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
IRF6725MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET