الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP16CN10LGXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP16CN10LGXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 54A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12806487
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP16CN10LGXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
54A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.7mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 61µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4190 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP16C
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPP16CN10LGXKSA1
ورقة بيانات HTML
IPP16CN10LGXKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPP16CN10L G-DG
INFINFIPP16CN10LGXKSA1
IPP16CN10L G
2156-IPP16CN10LGXKSA1-IT
SP000680878
SP000308793
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF3710ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1894
DiGi رقم الجزء
IRF3710ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
HUF75645P3
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1488
DiGi رقم الجزء
HUF75645P3-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN015-100P,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7793
DiGi رقم الجزء
PSMN015-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDP150N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
235
DiGi رقم الجزء
FDP150N10-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPP10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3