رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP80N06S207AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP80N06S207AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12806651
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP80N06S207AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 180µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP80N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPP80N06S2-07
SP000218810
IPP80N06S2-07-DG
2156-IPP80N06S207AKSA1
INFINFIPP80N06S207AKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP120N075T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
44
DiGi رقم الجزء
IXTP120N075T2-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP80NF55-06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
999
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-06-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPP20N60S5XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
IRLR3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRLMS2002TR
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
