رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPS65R600E6AKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPS65R600E6AKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
المخزون:
12803037
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPS65R600E6AKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ E6
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 210µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3-11
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
IPS65R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
2156-IPS65R600E6AKMA1
SP001273092
ROCINFIPS65R600E6AKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPS70R600P7SAKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
177
DiGi رقم الجزء
IPS70R600P7SAKMA1-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTU8N70X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
64
DiGi رقم الجزء
IXTU8N70X2-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7821TR
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
IRFS7430-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IPD031N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3