رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPS70R600P7SAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPS70R600P7SAKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
177 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818327
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPS70R600P7SAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
364 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPS70R600
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
448-IPS70R600P7SAKMA1
IPS70R600P7SAKMA1-DG
2156-IPS70R600P7SAKMA1
SP001499714
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD17322Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON