رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPS65R650CEAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPS65R650CEAKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
12804222
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPS65R650CEAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 210µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
86W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPS65R650
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
SP001422888
INFINFIPS65R650CEAKMA1
2156-IPS65R650CEAKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPS70R600P7SAKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
177
DiGi رقم الجزء
IPS70R600P7SAKMA1-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPW60R018CFD7XKSA1
MOSFET N CH
