رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPT65R195G7XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
المخزون:
12806479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPT65R195G7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 240µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
996 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
97W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-2
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IPT65R195
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPT65R190CFD7XTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPP60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
