الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPB80N08S2-07
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPB80N08S2-07-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12806480
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPB80N08S2-07 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.1mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6130 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SPB80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
SPB80N08S2-07
ورقة بيانات HTML
SPB80N08S2-07-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000016355
SPB80N08S207T
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB150NF55T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
969
DiGi رقم الجزء
STB150NF55T4-DG
سعر الوحدة
1.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFS3307ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
22960
DiGi رقم الجزء
IRFS3307ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFS3307ZTRRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
768
DiGi رقم الجزء
IRFS3307ZTRRPBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4297
DiGi رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB75NF75T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
967
DiGi رقم الجزء
STB75NF75T4-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPP60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
IRL1004STRR
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IPP16CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3