رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3205ZLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3205ZLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
3938 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802875
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3205ZLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRF3205
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF3205ZLPBF
SP001564660
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFSL3306PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFSL3306PBF-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDP038AN06A0
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
245
DiGi رقم الجزء
FDP038AN06A0-DG
سعر الوحدة
1.56
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU4105Z
MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
IRF3704STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
BSC014N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
