رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3709ZLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3709ZLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
12805217
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3709ZLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
87A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2130 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001574636
*IRF3709ZLPBF
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI90N04S402AKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
453
DiGi رقم الجزء
IPI90N04S402AKSA1-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP80N06S2L09AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRL3705NS
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRFR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
