الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF540Z
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF540Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12816658
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF540Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1770 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
92W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF540Z/ZS/ZL
مخططات البيانات
IRF540Z
ورقة بيانات HTML
IRF540Z-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF540Z
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP24NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
720
DiGi رقم الجزء
STP24NF10-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP30NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
991
DiGi رقم الجزء
STP30NF10-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AUIRF540Z
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2924
DiGi رقم الجزء
AUIRF540Z-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STP60NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
980
DiGi رقم الجزء
STP60NF10-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD18503KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
CSD17505Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
IRLR8729TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK