رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLR8729TRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLR8729TRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
12816673
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLR8729TRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRLR8729
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP001552874
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK7Y13-40B,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3975
DiGi رقم الجزء
BUK7Y13-40B,115-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD23382F4
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
IRFS7734TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
IPP100N04S2L03AKSA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
