رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6643TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6643TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
المخزون:
10693 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6643TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.9V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2340 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MZ
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MZ
رقم المنتج الأساسي
IRF6643
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
IRF6643TRPBF-DG
SP001570070
IRF6643TRPBFDKR
IRF6643TRPBFCT
IRF6643TRPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
IPI60R385CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
IRF520NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK