IRF7101PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF7101PBF

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF7101PBF-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO

المخزون:

12804173
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRF7101PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
320pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF71

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
SP001559728

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

infineon-technologies

IRF7507TR

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

infineon-technologies

IRF3575DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN

infineon-technologies

IRF7501TRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8