رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7101PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7101PBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12804173
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7101PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
320pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF71
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
SP001559728
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPG20N04S408AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IRF7507TR
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
IRF3575DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN