رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7319TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7319TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
19393 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806900
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7319TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
650pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF731
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001563414
IRF7319PBFDKR
IRF7319TRPBF-DG
*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFTR
IRF7319TRPBFTR-DG
IRF7319PBFCT
2156-IRF7319TRPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7325
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
IRL6372PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
IRF7905TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO