رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7329PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7329PBF-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12805089
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7329PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3450pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF732
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,800
اسماء اخرى
62-0242PBF
62-0242PBF-DG
SP001559806
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7756
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
IRF7751
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
IRF7331TRPBF-1
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC