الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7403TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7403TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12808692
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7403TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF7403
مخططات البيانات
IRF7403TR
ورقة بيانات HTML
IRF7403TR-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
Q829130
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7403TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8205
DiGi رقم الجزء
IRF7403TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
FDS8884
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7218
DiGi رقم الجزء
FDS8884-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMG4496SSSQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMG4496SSSQ-13-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI4178DY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2375
DiGi رقم الجزء
SI4178DY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STS10N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4575
DiGi رقم الجزء
STS10N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VN2210N2
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
IRF7353D2
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
CPC3902ZTR
MOSFET N-CH 250V SOT223