رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7455
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7455-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12822417
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7455 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3480 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF7455
SP001572180
=94-3344
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6670A
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
2525
DiGi رقم الجزء
FDS6670A-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3007LSSQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2375
DiGi رقم الجزء
DMN3007LSSQ-13-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS8896
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
15395
DiGi رقم الجزء
FDS8896-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9E1R9-40E,127
MOSFET N-CH 40V I2PAK
IRFH7932TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
